2SK880Y datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SK880Y 📄📄
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.003 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 250 Ohm
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для 2SK880Y
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK880Y даташит
2sk880.pdf
2SK880 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK880 Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications Unit mm High Yfs Yfs = 15 mS (typ.) at VDS = 10 V, VGS = 0 High breakdown voltage VGDS = -50 V Low noise NF = 1.0dB (typ.) at VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, f = 1 kHz, RG = 1 k High input impedance IGSS = -1 nA (max) at VGS = -30 V
2sk882.pdf
2SK882 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK882 FM Tuner, VHF RF Amplifier Applications Unit mm Low reverse transfer capacitance Crss = 0.025 pF (typ.) Low noise figure NF = 1.7dB (typ.) High power gain G = 28dB (typ.) ps Recommend operation voltage 5 15 V Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit
2sk888.pdf
( DataSheet www.DataSheet4U.com ) www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com
Другие IGBT... 2SK3857TK, 2SK3857TV, 2SK4059CT, 2SK4059MFV, 2SK4059TK, 2SK4059TV, 2SK711, 2SK879, IRF640, TTK101MFV, TTK101TK, 2SJ181L, 2SJ181S, 2SJ186, 2SJ216, 2SJ217, 2SJ221
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46 | MSH60N35D | MSH40N032 | MSH30P100 | MSH100N045SA | MSD60P16 | MSD40P45 | MSB100N023
Popular searches
bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750





