2SK3141-01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SK3141-01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Qgⓘ - Carga de la puerta: 130 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 370 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK3141-01

2SK3141-01 Datasheet (PDF)

7.1. Size:87K renesas
2sk3141.pdf

2SK3141 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1070-0400 (Previous: ADE-208-680B) Rev.4.00 Sep 07, 2005 Features Low on-resistance RDS(on) = 4 m typ. Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline RENESAS Package code: PRSS0004AC-A(Package name: TO-220AB)D1. Gate2. Drain(Flange)G3. Source

7.2. Size:101K renesas
rej03g1070 2sk3141ds.pdf

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

7.3. Size:288K inchange semiconductor
2sk3141.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3141FEATURESDrain Current : I = 75A@ T =25D CDrain Source Voltage: V =30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =5 m(Max)@ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid dr

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: