BUZ10 Todos los transistores

 

BUZ10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

BUZ10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  st
buz10.pdf pdf_icon

BUZ10

BUZ10N - CHANNEL 50V - 0.06 - 23A TO-220STripFET MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ10 50 V

 ..2. Size:229K  inchange semiconductor
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BUZ10

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ10FEATURESDrain Current I =23A@ T =25D CStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.07(Max)DS(on)175 operating temperature100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh current , high speed switchingSolenoid and relay driversDC-DC & DC-

 0.1. Size:270K  st
buz10a.pdf pdf_icon

BUZ10

 0.2. Size:88K  siemens
buz100s spp77n05.pdf pdf_icon

BUZ10

BUZ 100 SSPP77N05SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175C operating temperature also in SMD availablePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 100 S 55 V 77 A 0.015 TO-220 AB Q67040-S4001-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25

Otros transistores... BUP64 , BUP65 , BUP66 , BUP67 , BUP68 , BUP69 , BUP70 , BUP71 , IRFP460 , BUZ10A , BUZ11 , BUZ11A , BUZ11FI , BUZ20 , BUZ21 , BUZ23 , BUZ24 .

History: SUD25N04-25 | CSD19534Q5A | PF5G3EA

 

 
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