BUZ10 Todos los transistores

 

BUZ10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BUZ10 datasheet

 ..1. Size:286K  st
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BUZ10

BUZ10 N - CHANNEL 50V - 0.06 - 23A TO-220 STripFET MOSFET TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ10 50 V

 ..2. Size:229K  inchange semiconductor
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BUZ10

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ10 FEATURES Drain Current I =23A@ T =25 D C Static Drain-Source On-Resistance R = 0.07 (Max) DS(on) 175 operating temperature 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High current , high speed switching Solenoid and relay drivers DC-DC & DC-

 0.1. Size:270K  st
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BUZ10

 0.2. Size:88K  siemens
buz100s spp77n05.pdf pdf_icon

BUZ10

BUZ 100 S SPP77N05 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175 C operating temperature also in SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 100 S 55 V 77 A 0.015 TO-220 AB Q67040-S4001-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 25

Otros transistores... BUP64 , BUP65 , BUP66 , BUP67 , BUP68 , BUP69 , BUP70 , BUP71 , IRFP460 , BUZ10A , BUZ11 , BUZ11A , BUZ11FI , BUZ20 , BUZ21 , BUZ23 , BUZ24 .

History: 2SK1030A

 

 

 


 
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