BUZ10 - описание и поиск аналогов

 

BUZ10 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BUZ10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для BUZ10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ10 технические параметры

 ..1. Size:286K  st
buz10.pdfpdf_icon

BUZ10

BUZ10 N - CHANNEL 50V - 0.06 - 23A TO-220 STripFET MOSFET TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ10 50 V

 ..2. Size:229K  inchange semiconductor
buz10.pdfpdf_icon

BUZ10

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ10 FEATURES Drain Current I =23A@ T =25 D C Static Drain-Source On-Resistance R = 0.07 (Max) DS(on) 175 operating temperature 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High current , high speed switching Solenoid and relay drivers DC-DC & DC-

 0.1. Size:270K  st
buz10a.pdfpdf_icon

BUZ10

 0.2. Size:88K  siemens
buz100s spp77n05.pdfpdf_icon

BUZ10

BUZ 100 S SPP77N05 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175 C operating temperature also in SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 100 S 55 V 77 A 0.015 TO-220 AB Q67040-S4001-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 25

Другие MOSFET... BUP64 , BUP65 , BUP66 , BUP67 , BUP68 , BUP69 , BUP70 , BUP71 , IRFP460 , BUZ10A , BUZ11 , BUZ11A , BUZ11FI , BUZ20 , BUZ21 , BUZ23 , BUZ24 .

 

 
Back to Top

 


 
.