BUZ20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUZ20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220M
Búsqueda de reemplazo de BUZ20 MOSFET
BUZ20 datasheet
buz20.pdf
BUZ 20 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 20 100 V 13.5 A 0.2 TO-220 AB C67078-S1302-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 28 C 13.5 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 54 Avalanche current,limited by Tjmax IA
buz20.pdf
isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ20 FEATURES Static Drain-Source On-Resistance R = 0.2 (Max) DS(on) SOA is Power Dissipation Limited High input impedance High speed switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers,relay
Otros transistores... BUP69 , BUP70 , BUP71 , BUZ10 , BUZ10A , BUZ11 , BUZ11A , BUZ11FI , IRFB4110 , BUZ21 , BUZ23 , BUZ24 , BUZ25 , BUZ32 , BUZ35 , BUZ36 , BUZ41A .
Liste
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