HAT2105T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HAT2105T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HAT2105T

HAT2105T Datasheet (PDF)

0.1. Size:101K renesas
rej03g0384 hat2105tds.pdf

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

7.1. Size:91K renesas
r07ds0552ej hat2105r.pdf

Preliminary Datasheet HAT2105R R07DS0552EJ0200(Previous: REJ03G1369-0100)Silicon N Channel Power MOS FET Rev.2.00High Speed Power Switching Oct 11, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 1.6 typ. (at ID = 0.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Capable of 4 V gate drive High density mounting Outline RENESAS Package code: PRSP0008DD-D(Package name: SOP-8

8.1. Size:73K renesas
rej03g1188 hat2108rds.pdf