HAT2105T - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

HAT2105T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: HAT2105T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для HAT2105T

HAT2105T Datasheet (PDF)

0.1. Size:101K renesas
rej03g0384 hat2105tds.pdf

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

7.1. Size:91K renesas
r07ds0552ej hat2105r.pdf

Preliminary Datasheet HAT2105R R07DS0552EJ0200(Previous: REJ03G1369-0100)Silicon N Channel Power MOS FET Rev.2.00High Speed Power Switching Oct 11, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 1.6 typ. (at ID = 0.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Capable of 4 V gate drive High density mounting Outline RENESAS Package code: PRSP0008DD-D(Package name: SOP-8

8.1. Size:73K renesas
rej03g1188 hat2108rds.pdf