BUZ36 Todos los transistores

 

BUZ36 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ36
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

BUZ36 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  inchange semiconductor
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BUZ36

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ36FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.12(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators, switchingconverters, motor drivers,relay drivers and drivers fo

 0.1. Size:176K  siemens
 buz361.pdf pdf_icon

BUZ36

 0.2. Size:180K  siemens
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BUZ36

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