HITJ0201MP Todos los transistores

 

HITJ0201MP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HITJ0201MP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 149 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.069 Ohm
   Paquete / Cubierta: MPAK
 

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HITJ0201MP datasheet

 ..1. Size:85K  renesas
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HITJ0201MP

Preliminary Datasheet HITJ0201MP R07DS0473EJ0100 Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 53 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2. Gate 1 3.

 7.1. Size:86K  renesas
 r07ds0476ej hitj0204mp.pdf pdf_icon

HITJ0201MP

Preliminary Datasheet HITJ0204MP R07DS0476EJ0100 Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 219 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 0.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2. Gate 3. Dr

 7.2. Size:85K  renesas
 r07ds0475ej hitj0203mp.pdf pdf_icon

HITJ0201MP

Preliminary Datasheet HITJ0203MP R07DS0475EJ0100 Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 142 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.1 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2. Gate 1 3.

 7.3. Size:85K  renesas
 r07ds0474ej hitj0202mp.pdf pdf_icon

HITJ0201MP

Preliminary Datasheet HITJ0202MP R07DS0474EJ0100 Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 83 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D G 1. Source 3 2 2. Gate 3. Dra

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