HITJ0201MP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HITJ0201MP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 149 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.069 Ohm

Тип корпуса: MPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HITJ0201MP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HITJ0201MP даташит

 ..1. Size:85K  renesas
 r07ds0473ej hitj0201mp.pdf pdf_icon

HITJ0201MP

Preliminary Datasheet HITJ0201MP R07DS0473EJ0100 Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 53 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2. Gate 1 3.

 7.1. Size:86K  renesas
 r07ds0476ej hitj0204mp.pdf pdf_icon

HITJ0201MP

Preliminary Datasheet HITJ0204MP R07DS0476EJ0100 Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 219 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 0.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2. Gate 3. Dr

 7.2. Size:85K  renesas
 r07ds0475ej hitj0203mp.pdf pdf_icon

HITJ0201MP

Preliminary Datasheet HITJ0203MP R07DS0475EJ0100 Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 142 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.1 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2. Gate 1 3.

 7.3. Size:85K  renesas
 r07ds0474ej hitj0202mp.pdf pdf_icon

HITJ0201MP

Preliminary Datasheet HITJ0202MP R07DS0474EJ0100 Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 83 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D G 1. Source 3 2 2. Gate 3. Dra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HAT3031R, HAT3032R, HAT3036R, HAT3037R, HAT3038R, HAT3040R, HAT3042C, HAT3043C, IRF530, HITJ0202MP, HITJ0203MP, HITJ0204MP, HITJ0302MP, HITJ0303MP, HITK0201MP, HITK0202MP, HITK0203MP