HITJ0302MP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HITJ0302MP
Código: NG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.173 Ohm
Paquete / Cubierta: MPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HITJ0302MP
HITJ0302MP Datasheet (PDF)
r07ds0477ej hitj0302mp.pdf
Preliminary Datasheet HITJ0302MP R07DS0477EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 138 m typ (VGS = 10 V, ID = 1.1 A) Low drive current High speed switching 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13.
r07ds0478ej hitj0303mp.pdf
Preliminary Datasheet HITJ0303MP R07DS0478EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 54 m typ (VGS = 10 V, ID = 1.6 A) Low drive current High speed switching 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13. D
r07ds0476ej hitj0204mp.pdf
Preliminary Datasheet HITJ0204MP R07DS0476EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 219 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 0.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate3. Dr
r07ds0475ej hitj0203mp.pdf
Preliminary Datasheet HITJ0203MP R07DS0475EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 142 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.1 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13.
r07ds0473ej hitj0201mp.pdf
Preliminary Datasheet HITJ0201MP R07DS0473EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 53 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13.
r07ds0474ej hitj0202mp.pdf
Preliminary Datasheet HITJ0202MP R07DS0474EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 83 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3DG 1. Source32 2. Gate3. Dra
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Liste
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