HITJ0302MP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HITJ0302MP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.173 Ohm
Encapsulados: MPAK
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HITJ0302MP datasheet
r07ds0477ej hitj0302mp.pdf
Preliminary Datasheet HITJ0302MP R07DS0477EJ0100 Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 138 m typ (VGS = 10 V, ID = 1.1 A) Low drive current High speed switching 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2. Gate 1 3.
r07ds0478ej hitj0303mp.pdf
Preliminary Datasheet HITJ0303MP R07DS0478EJ0100 Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 54 m typ (VGS = 10 V, ID = 1.6 A) Low drive current High speed switching 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2. Gate 1 3. D
r07ds0476ej hitj0204mp.pdf
Preliminary Datasheet HITJ0204MP R07DS0476EJ0100 Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 219 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 0.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2. Gate 3. Dr
r07ds0475ej hitj0203mp.pdf
Preliminary Datasheet HITJ0203MP R07DS0475EJ0100 Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 142 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.1 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2. Gate 1 3.
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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