Справочник MOSFET. HITJ0302MP

 

HITJ0302MP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HITJ0302MP
   Маркировка: NG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.173 Ohm
   Тип корпуса: MPAK

 Аналог (замена) для HITJ0302MP

 

 

HITJ0302MP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  renesas
 r07ds0477ej hitj0302mp.pdf

HITJ0302MP HITJ0302MP

Preliminary Datasheet HITJ0302MP R07DS0477EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 138 m typ (VGS = 10 V, ID = 1.1 A) Low drive current High speed switching 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13.

 7.1. Size:84K  renesas
 r07ds0478ej hitj0303mp.pdf

HITJ0302MP HITJ0302MP

Preliminary Datasheet HITJ0303MP R07DS0478EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 54 m typ (VGS = 10 V, ID = 1.6 A) Low drive current High speed switching 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13. D

 9.1. Size:86K  renesas
 r07ds0476ej hitj0204mp.pdf

HITJ0302MP HITJ0302MP

Preliminary Datasheet HITJ0204MP R07DS0476EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 219 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 0.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate3. Dr

 9.2. Size:85K  renesas
 r07ds0475ej hitj0203mp.pdf

HITJ0302MP HITJ0302MP

Preliminary Datasheet HITJ0203MP R07DS0475EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 142 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.1 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13.

 9.3. Size:85K  renesas
 r07ds0473ej hitj0201mp.pdf

HITJ0302MP HITJ0302MP

Preliminary Datasheet HITJ0201MP R07DS0473EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 53 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13.

 9.4. Size:85K  renesas
 r07ds0474ej hitj0202mp.pdf

HITJ0302MP HITJ0302MP

Preliminary Datasheet HITJ0202MP R07DS0474EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 83 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3DG 1. Source32 2. Gate3. Dra

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top