HITK0302MP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HITK0302MP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm

Encapsulados: MPAK

 Búsqueda de reemplazo de HITK0302MP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HITK0302MP datasheet

 ..1. Size:83K  renesas
 r07ds0483ej hitk0302mp.pdf pdf_icon

HITK0302MP

Preliminary Datasheet HITK0302MP R07DS0483EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 92 m typ (VGS = 10 V, ID = 1.3 A) Low drive current High speed switching 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D G 1. Source 3 2 2. Gate 3. Drain 1

 7.1. Size:83K  renesas
 r07ds0484ej hitk0303mp.pdf pdf_icon

HITK0302MP

Preliminary Datasheet HITK0303MP R07DS0484EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 42 m typ (VGS = 10 V, ID = 1.8 A) Low drive current High speed switching 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2. Gate 1 3. Drain

 9.1. Size:85K  renesas
 r07ds0482ej hitk0204mp.pdf pdf_icon

HITK0302MP

Preliminary Datasheet HITK0204MP R07DS0482EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 100 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2. Gate 3. Drain 1

 9.2. Size:85K  renesas
 r07ds0479ej hitk0201mp.pdf pdf_icon

HITK0302MP

Preliminary Datasheet HITK0201MP R07DS0479EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 25 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 2.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2. Gate 1 3. Drain

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... HITJ0203MP, HITJ0204MP, HITJ0302MP, HITJ0303MP, HITK0201MP, HITK0202MP, HITK0203MP, HITK0204MP, IRFZ48N, HITK0303MP, HS54095, HS54095TZ-E, HS56021, RJJ0101DPD, RJJ0315DPA, RJJ0621DPP, RJJ1011DPD