Справочник MOSFET. HITK0302MP

 

HITK0302MP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HITK0302MP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: MPAK

 Аналог (замена) для HITK0302MP

 

 

HITK0302MP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:83K  renesas
 r07ds0483ej hitk0302mp.pdf

HITK0302MP HITK0302MP

Preliminary Datasheet HITK0302MP R07DS0483EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 92 m typ (VGS = 10 V, ID = 1.3 A) Low drive current High speed switching 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3DG 1. Source32 2. Gate3. Drain1

 7.1. Size:83K  renesas
 r07ds0484ej hitk0303mp.pdf

HITK0302MP HITK0302MP

Preliminary Datasheet HITK0303MP R07DS0484EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 42 m typ (VGS = 10 V, ID = 1.8 A) Low drive current High speed switching 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13. Drain

 9.1. Size:85K  renesas
 r07ds0482ej hitk0204mp.pdf

HITK0302MP HITK0302MP

Preliminary Datasheet HITK0204MP R07DS0482EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 100 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate3. Drain1

 9.2. Size:85K  renesas
 r07ds0479ej hitk0201mp.pdf

HITK0302MP HITK0302MP

Preliminary Datasheet HITK0201MP R07DS0479EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 25 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 2.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13. Drain

 9.3. Size:86K  renesas
 r07ds0480ej hitk0202mp.pdf

HITK0302MP HITK0302MP

Preliminary Datasheet HITK0202MP R07DS0480EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 42 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.9 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate3. Drain1

 9.4. Size:84K  renesas
 r07ds0481ej hitk0203mp.pdf

HITK0302MP HITK0302MP

Preliminary Datasheet HITK0203MP R07DS0481EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 68 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.5 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3DG3 1. Source2 2. Gate3. Drain1

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top