HITK0302MP - аналоги и даташиты транзистора

 

HITK0302MP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HITK0302MP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: MPAK
 

 Аналог (замена) для HITK0302MP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HITK0302MP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:83K  renesas
 r07ds0483ej hitk0302mp.pdf pdf_icon

HITK0302MP

Preliminary Datasheet HITK0302MP R07DS0483EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 92 m typ (VGS = 10 V, ID = 1.3 A) Low drive current High speed switching 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3DG 1. Source32 2. Gate3. Drain1

 7.1. Size:83K  renesas
 r07ds0484ej hitk0303mp.pdf pdf_icon

HITK0302MP

Preliminary Datasheet HITK0303MP R07DS0484EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 42 m typ (VGS = 10 V, ID = 1.8 A) Low drive current High speed switching 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13. Drain

 9.1. Size:85K  renesas
 r07ds0482ej hitk0204mp.pdf pdf_icon

HITK0302MP

Preliminary Datasheet HITK0204MP R07DS0482EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 100 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate3. Drain1

 9.2. Size:85K  renesas
 r07ds0479ej hitk0201mp.pdf pdf_icon

HITK0302MP

Preliminary Datasheet HITK0201MP R07DS0479EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 25 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 2.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13. Drain

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HITJ0203MP , HITJ0204MP , HITJ0302MP , HITJ0303MP , HITK0201MP , HITK0202MP , HITK0203MP , HITK0204MP , RU7088R , HITK0303MP , HS54095 , HS54095TZ-E , HS56021 , RJJ0101DPD , RJJ0315DPA , RJJ0621DPP , RJJ1011DPD .

 

 
Back to Top

 


 
.