2N6800JANTX Todos los transistores

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2N6800JANTX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6800JANTX

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 400 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 900 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO205AF

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2N6800JANTX Datasheet (PDF)

4.1. 2n6800 irff330.pdf Size:130K _international_rectifier

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PD - 90432C IRFF330 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6800 HEXFET?TRANSISTORS JANTXV2N6800 THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/557 400V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF330 400V 1.0? 3.0A The HEXFET?technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this la

4.2. 2n6796 2n6798 2n6800 2n6802.pdf Size:66K _omnirel

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2N6796, JANTX2N6796 JANTXV2N6796 2N6800, JANTX2N6800, JANTXV2N6800 2N6798, JANTX2N6798 JANTXV2N6798 2N6802, JANTX2N6802, JANTXV2N6802 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-205 AF PACKAGE, QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/557 100 V, 200 V, 400 V & 500 V, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power Transistor FEATURES Low RDS(on) Ease of Paralleling Qualified to MIL-PRF-19500/557 DESCRIPTION This h

4.3. 2n6800.pdf Size:24K _semelab

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2N6800 SEME LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) NCHANNEL POWER MOSFET BVDSS 400V ID 3.0A RDS(on) 1.0 FEATURES ! AVALANCHE ENERGY RATED HER

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