2N6800JANTX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6800JANTX  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO205AF

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2N6800JANTX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6800JANTX даташит

 8.1. Size:130K  international rectifier
 2n6800 irff330.pdf pdf_icon

2N6800JANTX

PD - 90432C IRFF330 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6800 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6800 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/557 400V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF330 400V 1.0 3.0A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing

 8.2. Size:66K  omnirel
 2n6796 2n6798 2n6800 2n6802.pdf pdf_icon

2N6800JANTX

2N6796, JANTX2N6796 JANTXV2N6796 2N6800, JANTX2N6800, JANTXV2N6800 2N6798, JANTX2N6798 JANTXV2N6798 2N6802, JANTX2N6802, JANTXV2N6802 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-205 AF PACKAGE, QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/557 100 V, 200 V, 400 V & 500 V, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power Transistor FEATURES Low RDS(on) Ease of Paralleling Qualified to MIL-PRF-19500/557 DESCRIPTIO

 8.3. Size:24K  semelab
 2n6800.pdf pdf_icon

2N6800JANTX

2N6800 SEME LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET BVDSS 400V ID 3.0A RDS(on) 1.0 FEATURES ! AVALANCHE ENERGY RATED

 8.4. Size:96K  semelab
 2n6800lcc4.pdf pdf_icon

2N6800JANTX

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2N6798, 2N6798JANTX, 2N6798JANTXV, 2N6798SM, 2N6799, 2N6799LCC4, 2N6799-SM, 2N6800, AO4407A, 2N6800JANTXV, 2N6800SM, 2N6801, 2N6801LCC4, 2N6801-SM, 2N6802, 2N6802JANTX, 2N6802JANTXV