RJK0389DPA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RJK0389DPA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15(20) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.1(4) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165(240) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0107(0.0089) Ohm

Encapsulados: WPAK

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RJK0389DPA datasheet

 0.1. Size:163K  renesas
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RJK0389DPA

Preliminary Datasheet RJK0389DPA Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode REJ03G1722-0410 High Speed Power Switching Rev.4.10 May 13, 2010 Features Low on-resistance Capable of 4.5 V gate drive High density mounting Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code PWSN0008DD-A (Package name WPAK-D2) 2 3 4 9 D1 D1 D1 S1/D2

 8.1. Size:83K  renesas
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RJK0389DPA

Preliminary Datasheet RJK0380DPA Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode REJ03G1827-0220 Power Switching Rev.2.20 May 21, 2010 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 2.4 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENE

 8.2. Size:82K  renesas
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RJK0389DPA

Preliminary Datasheet RJK0381DPA Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode REJ03G1829-0210 Power Switching Rev.2.10 May 13, 2010 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 3.4 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENES

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