BUZ63 Todos los transistores

 

BUZ63 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ63
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BUZ63 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  inchange semiconductor
 buz63.pdf pdf_icon

BUZ63

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ63FEATURES5.9A, 400VSOA is Power Dissipation LimitedNanosecond Switching SpeedsLinear Transfer CharacteristicsHigh Input ImpedanceMajority Carrier DeviceMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators, switchingconverters,

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