BUZ63 Todos los transistores

 

BUZ63 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ63

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO3

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BUZ63 datasheet

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BUZ63

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ63 FEATURES 5.9A, 400V SOA is Power Dissipation Limited Nanosecond Switching Speeds Linear Transfer Characteristics High Input Impedance Majority Carrier Device Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Designed for applications such as switching regulators, switching converters,

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