BUZ64 Todos los transistores

 

BUZ64 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ64
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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Principales características: BUZ64

 ..1. Size:228K  inchange semiconductor
 buz64.pdf pdf_icon

BUZ64

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ64 FEATURES 11.5A, 400V SOA is Power Dissipation Limited Nanosecond Switching Speeds Linear Transfer Characteristics High Input Impedance Majority Carrier Device Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Designed for applications such as switching regulators, switching converters

Otros transistores... BUZ50B , BUZ50B-220M , BUZ50B-220SM , BUZ50BSM , BUZ50B-TO220M , BUZ60 , BUZ60B , BUZ63 , SPP20N60C3 , BUZ71 , BUZ71A , BUZ71AFI , BUZ71FI , BUZ72A , BUZ74 , BUZ74A , BUZ76 .

 

 
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Liste

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MOSFET: AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K | AP30H60K | AP30H220G | AP30H180K | AP30H150Q | AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S

 

 

 
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