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RJK4002DPP-M0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RJK4002DPP-M0
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FL

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RJK4002DPP-M0 Datasheet (PDF)

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Preliminary Datasheet RJK4002DPP-M0 R07DS0551EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Oct 03, 2011Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.4 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003AF-A(Package name: TO-220FL)D1. Gate2. DrainG3. Source123SAbso

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Preliminary Datasheet RJK4002DPD R07DS0835EJ0210400V - 3A - MOS FET Rev.2.10High Speed Power Switching Jan 29, 2014Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.4 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low drive current High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZG-AD(Package name : MP-3A)41. Gate2. DrainG3. Source1

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Preliminary Datasheet RJK4002DJE R07DS0842EJ0200400V - 3A - MOS FET Rev.2.00High Speed Power Switching Aug 03, 2012Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.4 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003DC-A(Package name: TO-92 Mod)D1. SourceG2. Drain3. GateS321Absolute Max

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