RJK5026DPE Todos los transistores

 

RJK5026DPE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RJK5026DPE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 62.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 19 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 52 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.7 Ohm

Empaquetado / Estuche: LDPAK

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RJK5026DPE Datasheet (PDF)

1.1. r07ds0422ej rjk5026dpp.pdf Size:97K _renesas

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Preliminary Datasheet RJK5026DPP-M0 R07DS0422EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching May 26, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 1.35 ? typ. (at ID = 3 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003AF-A (Package name: TO-220FL) D 1. Gate 2. Drain G 3. Source 1 2 3 S

1.2. r07ds0494ej rjk5026dpe.pdf Size:76K _renesas

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Preliminary Datasheet RJK5026DPE R07DS0494EJ0200 (Previous: REJ03G1852-0100) Silicon N Channel MOS FET Rev.2.00 High Speed Power Switching Jul 21, 2011 Features ? Low on-resistance RDS(on) = 1.35 ? typ. (at ID = 3 A, VGS = 10 V, Ta = 25?C) ? Low leakage current ? High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004AE-B (Package name: LDPAK(S)-(1) ) D 4 1. Gate

 4.1. rej03g1263 rjk5020dpkds.pdf Size:82K _renesas

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Preliminary Datasheet RJK5020DPK REJ03G1263-0300 Silicon N Channel MOS FET Rev.3.00 High Speed Power Switching Jun 30, 2010 Features ? Low on-resistance ? Low leakage current ? High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A (Package name: TO-3P) D 1. Gate 2. Drain (Flange) G 3. Source S 1 2 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Item Symbol Ra

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