RJK5026DPP-M0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RJK5026DPP-M0
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FL

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RJK5026DPP-M0

RJK5026DPP-M0 Datasheet (PDF)

4.1. Size:97K renesas
r07ds0422ej rjk5026dpp.pdf

Preliminary Datasheet RJK5026DPP-M0 R07DS0422EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching May 26, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 1.35 typ. (at ID = 3 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003AF-A(Package name: TO-220FL)D1. Gate2. DrainG3. Source

5.1. Size:76K renesas
r07ds0494ej rjk5026dpe.pdf

Preliminary Datasheet RJK5026DPE R07DS0494EJ0200(Previous: REJ03G1852-0100)Silicon N Channel MOS FET Rev.2.00High Speed Power Switching Jul 21, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 1.35 typ. (at ID = 3 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004AE-B(Package name: LDPAK(S)-(1) )D

8.1. Size:82K renesas
rej03g1263 rjk5020dpkds.pdf

Preliminary Datasheet RJK5020DPK REJ03G1263-0300Silicon N Channel MOS FET Rev.3.00High Speed Power Switching Jun 30, 2010Features Low on-resistance Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A(Package name: TO-3P) D1. Gate2. Drain (Flange)G3. SourceS123Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Item

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Liste

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