RQJ0202VGDQA Todos los transistores

 

RQJ0202VGDQA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQJ0202VGDQA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC59A MPAK
 

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RQJ0202VGDQA Datasheet (PDF)

 4.1. Size:85K  renesas
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RQJ0202VGDQA

Preliminary Datasheet RQJ0202VGDQA R07DS0291EJ0400(Previous: REJ03G1318-0300)Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 83 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3DG

 8.1. Size:86K  renesas
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RQJ0202VGDQA

Preliminary Datasheet RQJ0204XGDQA R07DS0293EJ0400(Previous: REJ03G1320-0300)Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 219 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 0.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3

 8.2. Size:85K  renesas
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RQJ0202VGDQA

Preliminary Datasheet RQJ0201UGDQA R07DS0290EJ0400(Previous: REJ03G1317-0300)Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 53 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3

 8.3. Size:85K  renesas
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RQJ0202VGDQA

Preliminary Datasheet RQJ0203WGDQA R07DS0292EJ0400(Previous: REJ03G1319-0300)Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 142 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.1 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3

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History: RQJ0306FQDQS | P0910AS | CED02N6A | IXFH74N20P | AP4910GD | AUIRLI2505 | P6403FMG

 

 
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