RQJ0202VGDQA Todos los transistores

 

RQJ0202VGDQA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQJ0202VGDQA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC59A MPAK
 

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RQJ0202VGDQA PDF Specs

 4.1. Size:85K  renesas
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RQJ0202VGDQA

Preliminary Datasheet RQJ0202VGDQA R07DS0291EJ0400 (Previous REJ03G1318-0300) Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 83 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D G ... See More ⇒

 8.1. Size:86K  renesas
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RQJ0202VGDQA

Preliminary Datasheet RQJ0204XGDQA R07DS0293EJ0400 (Previous REJ03G1320-0300) Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 219 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 0.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3... See More ⇒

 8.2. Size:85K  renesas
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RQJ0202VGDQA

Preliminary Datasheet RQJ0201UGDQA R07DS0290EJ0400 (Previous REJ03G1317-0300) Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 53 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 ... See More ⇒

 8.3. Size:85K  renesas
r07ds0292ej rqj0203wgd.pdf pdf_icon

RQJ0202VGDQA

Preliminary Datasheet RQJ0203WGDQA R07DS0292EJ0400 (Previous REJ03G1319-0300) Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 142 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.1 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3... See More ⇒

Otros transistores... RJL6012DPE , RJL6013DPE , RJL6015DPK , RJL6018DPK , RJL6020DPK , RJL6032DPP-M0 , RJM0306JSP , RQJ0201UGDQA , 2N7000 , RQJ0203WGDQA , RQJ0204XGDQA , RQJ0301HGDQS , RQJ0302NGDQA , RQJ0303PGDQA , RQJ0304DQDQA , RQJ0304DQDQS , RQJ0305EQDQA .

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