RQJ0203WGDQA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RQJ0203WGDQA
   Código: WG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC59A MPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RQJ0203WGDQA

RQJ0203WGDQA Datasheet (PDF)

4.1. Size:85K renesas
r07ds0292ej rqj0203wgd.pdf

Preliminary Datasheet RQJ0203WGDQA R07DS0292EJ0400(Previous: REJ03G1319-0300)Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 142 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.1 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3

8.1. Size:86K renesas
r07ds0293ej rqj0204xgd.pdf

Preliminary Datasheet RQJ0204XGDQA R07DS0293EJ0400(Previous: REJ03G1320-0300)Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 219 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 0.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3

8.2. Size:85K renesas
r07ds0290ej rqj0201ugd.pdf

Preliminary Datasheet RQJ0201UGDQA R07DS0290EJ0400(Previous: REJ03G1317-0300)Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 53 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3

8.3. Size:85K renesas
r07ds0291ej rqj0202vgd.pdf

Preliminary Datasheet RQJ0202VGDQA R07DS0291EJ0400(Previous: REJ03G1318-0300)Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 83 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3DG

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Liste

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