RQJ0203WGDQA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RQJ0203WGDQA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: SC59A MPAK
Аналог (замена) для RQJ0203WGDQA
RQJ0203WGDQA Datasheet (PDF)
r07ds0292ej rqj0203wgd.pdf

Preliminary Datasheet RQJ0203WGDQA R07DS0292EJ0400(Previous: REJ03G1319-0300)Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 142 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.1 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3
r07ds0293ej rqj0204xgd.pdf

Preliminary Datasheet RQJ0204XGDQA R07DS0293EJ0400(Previous: REJ03G1320-0300)Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 219 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 0.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3
r07ds0290ej rqj0201ugd.pdf

Preliminary Datasheet RQJ0201UGDQA R07DS0290EJ0400(Previous: REJ03G1317-0300)Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 53 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3
r07ds0291ej rqj0202vgd.pdf

Preliminary Datasheet RQJ0202VGDQA R07DS0291EJ0400(Previous: REJ03G1318-0300)Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 83 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3DG
Другие MOSFET... RJL6013DPE , RJL6015DPK , RJL6018DPK , RJL6020DPK , RJL6032DPP-M0 , RJM0306JSP , RQJ0201UGDQA , RQJ0202VGDQA , IRFB4115 , RQJ0204XGDQA , RQJ0301HGDQS , RQJ0302NGDQA , RQJ0303PGDQA , RQJ0304DQDQA , RQJ0304DQDQS , RQJ0305EQDQA , RQJ0305EQDQS .
History: HGP037N10S | FQD7P06TM | SI7617DN | ME4972-G | P4506BD | PB606BA | OSG65R070PT3F
History: HGP037N10S | FQD7P06TM | SI7617DN | ME4972-G | P4506BD | PB606BA | OSG65R070PT3F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06