RQJ0203WGDQA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RQJ0203WGDQA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: SC59A MPAK

Аналог (замена) для RQJ0203WGDQA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQJ0203WGDQA даташит

 4.1. Size:85K  renesas
 r07ds0292ej rqj0203wgd.pdf pdf_icon

RQJ0203WGDQA

Preliminary Datasheet RQJ0203WGDQA R07DS0292EJ0400 (Previous REJ03G1319-0300) Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 142 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.1 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3

 8.1. Size:86K  renesas
 r07ds0293ej rqj0204xgd.pdf pdf_icon

RQJ0203WGDQA

Preliminary Datasheet RQJ0204XGDQA R07DS0293EJ0400 (Previous REJ03G1320-0300) Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 219 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 0.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3

 8.2. Size:85K  renesas
 r07ds0290ej rqj0201ugd.pdf pdf_icon

RQJ0203WGDQA

Preliminary Datasheet RQJ0201UGDQA R07DS0290EJ0400 (Previous REJ03G1317-0300) Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 53 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3

 8.3. Size:85K  renesas
 r07ds0291ej rqj0202vgd.pdf pdf_icon

RQJ0203WGDQA

Preliminary Datasheet RQJ0202VGDQA R07DS0291EJ0400 (Previous REJ03G1318-0300) Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 83 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJL6013DPE, RJL6015DPK, RJL6018DPK, RJL6020DPK, RJL6032DPP-M0, RJM0306JSP, RQJ0201UGDQA, RQJ0202VGDQA, P55NF06, RQJ0204XGDQA, RQJ0301HGDQS, RQJ0302NGDQA, RQJ0303PGDQA, RQJ0304DQDQA, RQJ0304DQDQS, RQJ0305EQDQA, RQJ0305EQDQS