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RQK0203SGDQA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RQK0203SGDQA

Código: SG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.8 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2.9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 81 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 48 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.09 Ohm

Empaquetado / Estuche: MPAK

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RQK0203SGDQA Datasheet (PDF)

1.1. r07ds0303ej rqk0203sgd.pdf Size:84K _renesas

RQK0203SGDQA
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Preliminary Datasheet RQK0203SGDQA R07DS0303EJ0400 (Previous: REJ03G1323-0300) Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features ? Low on-resistance RDS(on) = 68 m? typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.5 A) ? Low drive current ? High speed switching ? 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK) 3 D G 3 1. Source 2 2.

4.1. r07ds0302ej rqk0202rgd.pdf Size:85K _renesas

RQK0203SGDQA
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Preliminary Datasheet RQK0202RGDQA R07DS0302EJ0400 (Previous: REJ03G1322-0300) Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features ? Low on-resistance RDS(on) = 42 m? typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.9 A) ? Low drive current ? High speed switching ? 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2.

4.2. r07ds0304ej rqk0204tgd.pdf Size:85K _renesas

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Preliminary Datasheet RQK0204TGDQA R07DS0304EJ0400 (Previous: REJ03G1324-0300) Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features ? Low on-resistance RDS(on) = 100 m? typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A) ? Low drive current ? High speed switching ? 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2.

 4.3. r07ds0301ej rqk0201qgd.pdf Size:85K _renesas

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RQK0203SGDQA

Preliminary Datasheet RQK0201QGDQA R07DS0301EJ0400 (Previous: REJ03G1321-0300) Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features ? Low on-resistance RDS(on) = 25 m? typ (VGS = 4.5 V, ID = 2.4 A) ? Low drive current ? High speed switching ? 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2.

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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