RQK0203SGDQA Todos los transistores

 

RQK0203SGDQA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQK0203SGDQA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 81 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC59A MPAK
 

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RQK0203SGDQA datasheet

 4.1. Size:84K  renesas
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RQK0203SGDQA

Preliminary Datasheet RQK0203SGDQA R07DS0303EJ0400 (Previous REJ03G1323-0300) Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 68 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.5 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D G 3 1. ... See More ⇒

 8.1. Size:85K  renesas
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RQK0203SGDQA

Preliminary Datasheet RQK0204TGDQA R07DS0304EJ0400 (Previous REJ03G1324-0300) Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 100 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1.... See More ⇒

 8.2. Size:85K  renesas
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RQK0203SGDQA

Preliminary Datasheet RQK0201QGDQA R07DS0301EJ0400 (Previous REJ03G1321-0300) Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 25 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 2.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. ... See More ⇒

 8.3. Size:85K  renesas
r07ds0302ej rqk0202rgd.pdf pdf_icon

RQK0203SGDQA

Preliminary Datasheet RQK0202RGDQA R07DS0302EJ0400 (Previous REJ03G1322-0300) Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 42 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.9 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. ... See More ⇒

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