RQK0203SGDQA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RQK0203SGDQA
Маркировка: SG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.9 nC
trⓘ - Время нарастания: 81 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: SC59A MPAK
Аналог (замена) для RQK0203SGDQA
RQK0203SGDQA Datasheet (PDF)
r07ds0303ej rqk0203sgd.pdf
Preliminary Datasheet RQK0203SGDQA R07DS0303EJ0400(Previous: REJ03G1323-0300)Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 68 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.5 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3DG3 1.
r07ds0304ej rqk0204tgd.pdf
Preliminary Datasheet RQK0204TGDQA R07DS0304EJ0400(Previous: REJ03G1324-0300)Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 100 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1.
r07ds0301ej rqk0201qgd.pdf
Preliminary Datasheet RQK0201QGDQA R07DS0301EJ0400(Previous: REJ03G1321-0300)Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 25 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 2.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1.
r07ds0302ej rqk0202rgd.pdf
Preliminary Datasheet RQK0202RGDQA R07DS0302EJ0400(Previous: REJ03G1322-0300)Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 42 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.9 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1.
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918