RQK0203SGDQA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: RQK0203SGDQA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 81 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: SC59A MPAK
Аналог (замена) для RQK0203SGDQA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
RQK0203SGDQA даташит
r07ds0303ej rqk0203sgd.pdf
Preliminary Datasheet RQK0203SGDQA R07DS0303EJ0400 (Previous REJ03G1323-0300) Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 68 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.5 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D G 3 1.
r07ds0304ej rqk0204tgd.pdf
Preliminary Datasheet RQK0204TGDQA R07DS0304EJ0400 (Previous REJ03G1324-0300) Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 100 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1.
r07ds0301ej rqk0201qgd.pdf
Preliminary Datasheet RQK0201QGDQA R07DS0301EJ0400 (Previous REJ03G1321-0300) Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 25 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 2.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1.
r07ds0302ej rqk0202rgd.pdf
Preliminary Datasheet RQK0202RGDQA R07DS0302EJ0400 (Previous REJ03G1322-0300) Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 42 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.9 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1.
Другие MOSFET... RQJ0306FQDQA , RQJ0306FQDQS , RQJ0601DGDQS , RQJ0602EGDQA , RQJ0602EGDQS , RQJ0603LGDQA , RQK0201QGDQA , RQK0202RGDQA , SPP20N60C3 , RQK0204TGDQA , RQK0301FGDQS , RQK0302GGDQA , RQK0302GGDQS , RQK0303MGDQA , RQK0601AGDQS , RQK0603CGDQA , RQK0603CGDQS .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor




