2SJ76 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SJ76
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 140 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.2 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SJ76

2SJ76 Datasheet (PDF)

..1. Size:78K renesas
rej03g0122 2sj76 2sj77 2sj78 2sj79.pdf

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

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2sj76 2sj77 2sj78 2sj79.pdf

2SJ76, 2SJ77, 2SJ78, 2SJ79Silicon P-Channel MOS FETApplicationHigh frequency and low frequency power amplifier, high speed power switchingComplementary pair with 2SK213, 2SK214, 2SK215, 2SK216Features Suitable for direct mounting High forward transfer admittance Excellent frequency response Enhancement-modeOutlineTO-220AB1D231. GateG2. Source(Fl

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Liste

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