2SJ79 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ79  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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2SJ79 datasheet

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2SJ79

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

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2SJ79

2SJ76, 2SJ77, 2SJ78, 2SJ79 Silicon P-Channel MOS FET Application High frequency and low frequency power amplifier, high speed power switching Complementary pair with 2SK213, 2SK214, 2SK215, 2SK216 Features Suitable for direct mounting High forward transfer admittance Excellent frequency response Enhancement-mode Outline TO-220AB 1 D 2 3 1. Gate G 2. Source (Fl

Otros transistores... RJK0358DPA, 2SK213, 2SK214, 2SK215, 2SK216, 2SJ76, 2SJ77, 2SJ78, MMIS60R580P, 2SK1056, 2SK1057, 2SK1058, 2SK2220, 2SK2221, 2SJ160, 2SJ161, 2SJ162