Справочник MOSFET. 2SJ79

 

2SJ79 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SJ79
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ79 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  renesas
 rej03g0122 2sj76 2sj77 2sj78 2sj79.pdf pdf_icon

2SJ79

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 ..2. Size:33K  hitachi
 2sj76 2sj77 2sj78 2sj79.pdf pdf_icon

2SJ79

2SJ76, 2SJ77, 2SJ78, 2SJ79Silicon P-Channel MOS FETApplicationHigh frequency and low frequency power amplifier, high speed power switchingComplementary pair with 2SK213, 2SK214, 2SK215, 2SK216Features Suitable for direct mounting High forward transfer admittance Excellent frequency response Enhancement-modeOutlineTO-220AB1D231. GateG2. Source(Fl

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQP1N50 | NCEP065N10GU

 

 
Back to Top

 


 
.