BBL4001 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BBL4001
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0061 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220ML

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BBL4001

BBL4001 Datasheet (PDF)

..1. Size:268K 1
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BBL4001Ordering number : ENA1356SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceBBL4001ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Motor drive. Avalanche resistance guarantee.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 60 VGate-to-Source Voltage V

..2. Size:231K onsemi
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Ordering number : ENA1356ABBL4001N-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com60V, 74A, 6.1m , TO-220F-3SGFeatures ON-resistance RDS(on)1=4.7m (typ.) Input capacitance Ciss=6,900pF(typ.) 4V driveSpecificationsTO-220F-3SGAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS 60 VGate to Source Voltage VGSS

..3. Size:249K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor BBL4001FEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR

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Liste

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