BMS3004 Todos los transistores

 

BMS3004 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BMS3004

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 245 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: TO220ML

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BMS3004 datasheet

 ..1. Size:305K  sanyo
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BMS3004

BMS3004 Ordering number ENA1908 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device BMS3004 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=6.5m (typ.) Input capacitance Ciss=13400pF (typ.) 4V drive Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --75

 ..2. Size:264K  onsemi
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BMS3004

Ordering number ENA1908B BMS3004 P-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 75V, 68A, 8.5m , TO-220F-3SG Features ON-resistance RDS(on)1=6.5m (typ.) Input capacitance Ciss=13400pF (typ.) 4V drive TO-220F-3SG Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain to Source Voltage VDSS --75 V Gate to Source V

 8.1. Size:306K  sanyo
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BMS3004

BMS3003 Ordering number ENA1907 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device BMS3003 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=5.0m (typ.) Input capacitance Ciss=13200pF (typ.) 4V drive Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --60

 8.2. Size:713K  onsemi
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BMS3004

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History: 2SK2052 | 4N60KG-TF2-T | 2SK3574-S | STF7LN80K5

 

 

 

 

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