BMS3004 Todos los transistores

 

BMS3004 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BMS3004
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 245 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220ML
 

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BMS3004 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  sanyo
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BMS3004

BMS3004Ordering number : ENA1908SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceBMS3004ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=6.5m (typ.) Input capacitance Ciss=13400pF (typ.) 4V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --75

 ..2. Size:264K  onsemi
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BMS3004

Ordering number : ENA1908BBMS3004P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 75V, 68A, 8.5m , TO-220F-3SGFeatures ON-resistance RDS(on)1=6.5m (typ.) Input capacitance Ciss=13400pF (typ.) 4V driveTO-220F-3SGSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS --75 VGate to Source V

 8.1. Size:306K  sanyo
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BMS3004

BMS3003Ordering number : ENA1907SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceBMS3003ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=5.0m (typ.) Input capacitance Ciss=13200pF (typ.) 4V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --60

 8.2. Size:713K  onsemi
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History: 2N7002H | HY4306B6 | BRFL13N50 | 2SK1478 | IXFT12N100F | 2SK65 | CEF02N6G

 

 
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