BMS4003 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BMS4003
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Encapsulados: TO220ML
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BMS4003 datasheet
bms4003.pdf
BMS4003 Ordering number ENA1923 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device BMS4003 Applications Features ON-resistance RDS(on)=50m (typ.) Input capacitance Ciss=680pF (typ.) 10V drive Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 100 V G
bms4007.pdf
BMS4007 Ordering number ENA1820 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device BMS4007 Applications Features ON-resistance RDS(on)=6m (typ.) Input capacitance Ciss=9700pF (typ.) 10V drive Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 75 V Ga
bms4007.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor BMS4007 FEATURES With TO-220F packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PAR
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History: AP4533GEM-HF | IRLS3034-7PPBF
History: AP4533GEM-HF | IRLS3034-7PPBF
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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