FSS294 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FSS294
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0102 Ohm
Encapsulados: SOP8
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FSS294 datasheet
fss294.pdf
FSS294 Ordering number EN8937 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device FSS294 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=7.8m (typ.) Input capacitance Ciss=2650pF(typ.) 4V drive Protection diode in Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions
Otros transistores... ECH8671 , ECH8672 , ECH8674 , ECH8675 , EFC4612R , EFC4615R , EFC4618R-P , EMH2411R , NCEP15T14 , FTS2057 , FW216A , MCH3375 , MCH3376 , MCH3474 , MCH3476 , MCH3478 , MCH3479 .
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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