FSS294 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FSS294
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0102 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FSS294

FSS294 Datasheet (PDF)

..1. Size:386K sanyo
fss294.pdf

FSS294Ordering number : EN8937SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceFSS294ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=7.8m (typ.) Input capacitance Ciss=2650pF(typ.) 4V drive Protection diode in Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SMK1060P | SIZ320DT

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: