FSS294 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FSS294
   Código: S294
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Voltaje de corte de la puerta |Vgs(off)|: 1.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 52 nC
   Tiempo de subida (tr): 180 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 320 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0102 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FSS294

FSS294 Datasheet (PDF)

..1. Size:386K sanyo
fss294.pdf

FSS294Ordering number : EN8937SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceFSS294ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=7.8m (typ.) Input capacitance Ciss=2650pF(typ.) 4V drive Protection diode in Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: OSG60R108HT3ZF

Liste

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