FSS294 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FSS294
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0102 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de FSS294 MOSFET
FSS294 Datasheet (PDF)
fss294.pdf
FSS294Ordering number : EN8937SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceFSS294ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=7.8m (typ.) Input capacitance Ciss=2650pF(typ.) 4V drive Protection diode in Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions
Otros transistores... ECH8671 , ECH8672 , ECH8674 , ECH8675 , EFC4612R , EFC4615R , EFC4618R-P , EMH2411R , NCEP15T14 , FTS2057 , FW216A , MCH3375 , MCH3376 , MCH3474 , MCH3476 , MCH3478 , MCH3479 .
History: 15N05 | MCH3914 | SWN4N65D | P80NF55-08 | SI2101 | BRI2N70
History: 15N05 | MCH3914 | SWN4N65D | P80NF55-08 | SI2101 | BRI2N70
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264

