Справочник MOSFET. FSS294

 

FSS294 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FSS294
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0102 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для FSS294

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSS294 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  sanyo
 fss294.pdf pdf_icon

FSS294

FSS294Ordering number : EN8937SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceFSS294ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=7.8m (typ.) Input capacitance Ciss=2650pF(typ.) 4V drive Protection diode in Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions

Другие MOSFET... ECH8671 , ECH8672 , ECH8674 , ECH8675 , EFC4612R , EFC4615R , EFC4618R-P , EMH2411R , IRFP450 , FTS2057 , FW216A , MCH3375 , MCH3376 , MCH3474 , MCH3476 , MCH3478 , MCH3479 .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.