Справочник MOSFET. FSS294

 

FSS294 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FSS294
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0102 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FSS294 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  sanyo
 fss294.pdf pdf_icon

FSS294

FSS294Ordering number : EN8937SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceFSS294ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=7.8m (typ.) Input capacitance Ciss=2650pF(typ.) 4V drive Protection diode in Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: ME80N75FG | VSE002N03MS-G | SFFC50 | 2SK3430-ZJ | NP90N04PUH | AP60SL600AI | R6535KNZ1

 

 
Back to Top

 


 
.