FW216A Todos los transistores

 

FW216A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FW216A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8
 

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FW216A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  onsemi
 fw216a.pdf pdf_icon

FW216A

Ordering number : ENA0176CFW216AN-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com35V, 4.5A, 64m , Dual SOIC8Features ON-resistance Nch : RDS(on)1=49m (typ.) 4.0V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS 35 VGate to Source Voltage

Otros transistores... ECH8674 , ECH8675 , EFC4612R , EFC4615R , EFC4618R-P , EMH2411R , FSS294 , FTS2057 , 20N50 , MCH3375 , MCH3376 , MCH3474 , MCH3476 , MCH3478 , MCH3479 , MCH6448 , MCH6603 .

History: SM3429BSQA | STB11NM60FD | HMS10N60I | AP9994GP-HF | FDZ201N | FQD3P20TM | AOT080A60L

 

 
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