FW216A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FW216A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 35 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm
Encapsulados: SOIC-8
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FW216A datasheet
fw216a.pdf
Ordering number ENA0176C FW216A N-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 35V, 4.5A, 64m , Dual SOIC8 Features ON-resistance Nch RDS(on)1=49m (typ.) 4.0V drive Halogen free compliance Protection diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain to Source Voltage VDSS 35 V Gate to Source Voltage
Otros transistores... ECH8674 , ECH8675 , EFC4612R , EFC4615R , EFC4618R-P , EMH2411R , FSS294 , FTS2057 , STP80NF70 , MCH3375 , MCH3376 , MCH3474 , MCH3476 , MCH3478 , MCH3479 , MCH6448 , MCH6603 .
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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