FW216A Todos los transistores

 

FW216A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FW216A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 35 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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FW216A datasheet

 ..1. Size:186K  onsemi
fw216a.pdf pdf_icon

FW216A

Ordering number ENA0176C FW216A N-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 35V, 4.5A, 64m , Dual SOIC8 Features ON-resistance Nch RDS(on)1=49m (typ.) 4.0V drive Halogen free compliance Protection diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain to Source Voltage VDSS 35 V Gate to Source Voltage

Otros transistores... ECH8674 , ECH8675 , EFC4612R , EFC4615R , EFC4618R-P , EMH2411R , FSS294 , FTS2057 , STP80NF70 , MCH3375 , MCH3376 , MCH3474 , MCH3476 , MCH3478 , MCH3479 , MCH6448 , MCH6603 .

 

 

 


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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA

 

 

 

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