FW216A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FW216A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de FW216A MOSFET
FW216A Datasheet (PDF)
fw216a.pdf
Ordering number : ENA0176CFW216AN-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com35V, 4.5A, 64m , Dual SOIC8Features ON-resistance Nch : RDS(on)1=49m (typ.) 4.0V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS 35 VGate to Source Voltage
Otros transistores... ECH8674 , ECH8675 , EFC4612R , EFC4615R , EFC4618R-P , EMH2411R , FSS294 , FTS2057 , STP80NF70 , MCH3375 , MCH3376 , MCH3474 , MCH3476 , MCH3478 , MCH3479 , MCH6448 , MCH6603 .
History: IRF6723M2D | SST213 | MCH6603 | LRC6N33YT1G | AP13P15GS
History: IRF6723M2D | SST213 | MCH6603 | LRC6N33YT1G | AP13P15GS
Liste
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