MCH5908 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MCH5908
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 42 Ohm
Paquete / Cubierta: MCPH5
- Selección de transistores por parámetros
MCH5908 Datasheet (PDF)
mch5908.pdf

Ordering number : ENA1218 MCH5908SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon Junction FETHigh-Frequency Amplifier, AM Amplifier,MCH5908Low-Frequency Amplifier ApplicationsFeatures Composite type with 2 J-FET contained in a MCPH5 package currently in use, improving the mountingefficiency greatly. The MCH5908 is formed with two chips, being equivalent to the 2SK3557,
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: AFP9435WS | PMV30XPEA | HFS13N50U | TSM4N80CZ | IRL3402S | IRFS640B | JFFM13N65D
History: AFP9435WS | PMV30XPEA | HFS13N50U | TSM4N80CZ | IRL3402S | IRFS640B | JFFM13N65D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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