MCH5908 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MCH5908
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 42 Ohm
Encapsulados: MCPH5
Búsqueda de reemplazo de MCH5908 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
MCH5908 datasheet
mch5908.pdf
Ordering number ENA1218 MCH5908 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon Junction FET High-Frequency Amplifier, AM Amplifier, MCH5908 Low-Frequency Amplifier Applications Features Composite type with 2 J-FET contained in a MCPH5 package currently in use, improving the mounting efficiency greatly. The MCH5908 is formed with two chips, being equivalent to the 2SK3557,
Otros transistores... SCH1333 , SCH1343 , SFT1345 , VEC2415 , 2SK715 , CPH3910 , CPH6904 , MCH3914 , IRF2807 , TF408 , TF410 , 2SK2701A , 2SK2943 , 2SK3003 , 2SK3004 , 2SK3199 , 2SK3710 .
History: IRFR4105ZTR | AP60PN72REN
History: IRFR4105ZTR | AP60PN72REN
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet