TF408 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TF408
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.03 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.01 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 330 Ohm
Encapsulados: USFP
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TF408 datasheet
tf408.pdf
TF408 Ordering number ENA2008 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon Junction FET Low-Frequency General-Purpose Amplifier, TF408 Impedance Converter Applications Applications Low-Frequency general-purpose amplifier, impedance conversion, infrared sensor applications Features Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products 1.0mm 0.6mm 0.27mm (m
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Liste
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