TF408 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TF408
   Código: A
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.03 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.01 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.18 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 330 Ohm
   Paquete / Cubierta: USFP

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TF408 Datasheet (PDF)

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tf408.pdf

TF408Ordering number : ENA2008SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon Junction FETLow-Frequency General-Purpose Amplifier, TF408Impedance Converter ApplicationsApplications Low-Frequency general-purpose amplifier, impedance conversion, infrared sensor applicationsFeatures Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products : 1.0mm0.6mm0.27mm (m

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History: AP2305GN | MEE4292HT

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