FLD470 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FLD470
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FLD470

FLD470 Datasheet (PDF)

..1. Size:323K sanken-ele
fld470.pdf

http://www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC Nov. 2010 Features Package N channel 40V MOSFET for automotive application FM20 (TO220 Full Mold) TO220F: wide pin package (for high current) Applications Automotive: EPS motor driver application Automotive: Other motor driver and solenoid driver application Internal Equivalent Circuit (2) Key Specific

..2. Size:251K inchange semiconductor
fld470.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FLD470FEATURESDrain Current I = 70A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 50V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 6m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

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Liste

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