FLD470 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FLD470
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Encapsulados: TO220F
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FLD470 datasheet
fld470.pdf
http //www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC Nov. 2010 Features Package N channel 40V MOSFET for automotive application FM20 (TO220 Full Mold) TO220F wide pin package (for high current) Applications Automotive EPS motor driver application Automotive Other motor driver and solenoid driver application Internal Equivalent Circuit (2) Key Specific
fld470.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FLD470 FEATURES Drain Current I = 70A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 50V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 6m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose a
Otros transistores... FKP280A , FKP300A , FKP330C , FKV460S , FKV550N , FKV550T , FKV575 , FKV660S , IRFP064N , MLD685D , SKP202 , SKP253 , 2SK3018 , 2SK3018UB , 2SK3019 , 2SK3019EB , 2SK3541 .
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Liste
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