Справочник MOSFET. FLD470

 

FLD470 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FLD470
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FLD470

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FLD470 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  sanken-ele
 fld470.pdf pdf_icon

FLD470

http://www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC Nov. 2010 Features Package N channel 40V MOSFET for automotive application FM20 (TO220 Full Mold) TO220F: wide pin package (for high current) Applications Automotive: EPS motor driver application Automotive: Other motor driver and solenoid driver application Internal Equivalent Circuit (2) Key Specific

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
 fld470.pdf pdf_icon

FLD470

isc N-Channel MOSFET Transistor FLD470FEATURESDrain Current I = 70A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 50V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 6m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

Другие MOSFET... FKP280A , FKP300A , FKP330C , FKV460S , FKV550N , FKV550T , FKV575 , FKV660S , 5N50 , MLD685D , SKP202 , SKP253 , 2SK3018 , 2SK3018UB , 2SK3019 , 2SK3019EB , 2SK3541 .

History: NCEP40P80G | BSB014N04LX3G | AM7304N | P7004EV | BSC190N12NS3G | STB10NK60Z | NCEP6060GU

 

 
Back to Top

 


 
.