SKP253 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKP253

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm

Encapsulados: TO263

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SKP253 datasheet

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SKP253

MOS FET SKP253 December 2005 Features Package---TO-263 Low on-resistance Low input capacitance Avalanche energy capability guaranteed Applications PDP driving High speed switching Equivalent circuit D (2) G (1) S (3) Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Drain to Source Voltage VDSS 250 V Gate to

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SKP253

isc N-Channel MOSFET Transistor SKP253 FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 95m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

Otros transistores... FKV460S, FKV550N, FKV550T, FKV575, FKV660S, FLD470, MLD685D, SKP202, IRFZ44N, 2SK3018, 2SK3018UB, 2SK3019, 2SK3019EB, 2SK3541, R4008AND, R5005CNJ, R5007ANJ