R4008AND Todos los transistores

 

R4008AND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: R4008AND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.73 Ohm
   Paquete / Cubierta: CPT3 SC63 SOT428
 

 Búsqueda de reemplazo de R4008AND MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

R4008AND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1985K  rohm
 r4008and.pdf pdf_icon

R4008AND

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R4008AND Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) High-speed switching.0.753) Wide SOA.(1) Gate0.650.9 2.3(2) Drain(1) (2) (3)2.3 0.54) Drive circuits can be simple.(3) Source1.05) Parallel use is easy. ApplicationSwit

Otros transistores... MLD685D , SKP202 , SKP253 , 2SK3018 , 2SK3018UB , 2SK3019 , 2SK3019EB , 2SK3541 , IRF540 , R5005CNJ , R5007ANJ , R5007ANX , R5009ANJ , R5009ANX , R5009FNX , R5011ANJ , R5011ANX .

History: ECG455 | SPB77N06S2-12

 

 
Back to Top

 


 
.