R4008AND Todos los transistores

 

R4008AND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: R4008AND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.73 Ohm
   Paquete / Cubierta: CPT3 SC63 SOT428
 

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R4008AND Datasheet (PDF)

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R4008AND

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R4008AND Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) High-speed switching.0.753) Wide SOA.(1) Gate0.650.9 2.3(2) Drain(1) (2) (3)2.3 0.54) Drive circuits can be simple.(3) Source1.05) Parallel use is easy. ApplicationSwit

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History: SUM60N10-17 | G10N10 | SUP90N04-3M3P | P2703BAG | AP65SL041AWL | NVF2201N | HUFA75652G3

 

 
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