R5009ANX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: R5009ANX
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 21 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 400 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.55 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FM
Búsqueda de reemplazo de MOSFET R5009ANX
R5009ANX Datasheet (PDF)
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10V Drive Nch MOSFET R5009ANX Structure Dimensions (Unit : mm) TO-220FMSilicon N-channel MOSFET 10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.21.32) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 0.84) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (1)Base2.54 2.54 0.75 2.65) Drive circuits can be simple. (2)Collector (1) (2) (3)6) Para
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10V Drive Nch MOSFET R5009ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS10.1 4.51.3 Features 1) Low on-resistance. 1.242) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 2.54 0.40.782.75.084) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (1) Base (Gate) (1) (2) (3)5) Drive circuits can be simple. (2) Collector (Drain)
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Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R5009FNX Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1)Fast reverse recovery time (trr) 1.21.32) Low on-resistance.0.83) Fast switching speed.2.54 2.54 0.75 2.64) Gate-source voltage(1) (2) (3) VGSS garanteed to be 30V .5) Drive circuits can be simple.6) Parallel use
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R5009FNJDatasheetNch 500V 9A Power MOSFETlOutlinel LPT(S)VDSS 500VRDS(on)(Max.) 0.84 ID 9A PD 50W lInner circuitllFeaturesl1) Fast reverse recovery time (trr).2) Low on-resistance.3) Fast switching speed.4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed tobe
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