Справочник MOSFET. R5009ANX

 

R5009ANX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R5009ANX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO220FM
 

 Аналог (замена) для R5009ANX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R5009ANX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  rohm
r5009anx.pdfpdf_icon

R5009ANX

10V Drive Nch MOSFET R5009ANX Structure Dimensions (Unit : mm) TO-220FMSilicon N-channel MOSFET 10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.21.32) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 0.84) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (1)Base2.54 2.54 0.75 2.65) Drive circuits can be simple. (2)Collector (1) (2) (3)6) Para

 7.1. Size:267K  rohm
r5009anj.pdfpdf_icon

R5009ANX

10V Drive Nch MOSFET R5009ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS10.1 4.51.3 Features 1) Low on-resistance. 1.242) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 2.54 0.40.782.75.084) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (1) Base (Gate) (1) (2) (3)5) Drive circuits can be simple. (2) Collector (Drain)

 9.1. Size:1026K  rohm
r5009fnx.pdfpdf_icon

R5009ANX

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R5009FNX Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1)Fast reverse recovery time (trr) 1.21.32) Low on-resistance.0.83) Fast switching speed.2.54 2.54 0.75 2.64) Gate-source voltage(1) (2) (3) VGSS garanteed to be 30V .5) Drive circuits can be simple.6) Parallel use

 9.2. Size:3366K  rohm
r5009fnj.pdfpdf_icon

R5009ANX

R5009FNJDatasheetNch 500V 9A Power MOSFETlOutlinel LPT(S)VDSS 500VRDS(on)(Max.) 0.84 ID 9A PD 50W lInner circuitllFeaturesl1) Fast reverse recovery time (trr).2) Low on-resistance.3) Fast switching speed.4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed tobe

Другие MOSFET... 2SK3019 , 2SK3019EB , 2SK3541 , R4008AND , R5005CNJ , R5007ANJ , R5007ANX , R5009ANJ , IRF1404 , R5009FNX , R5011ANJ , R5011ANX , R5011FNX , R5013ANJ , R5013ANX , R5016ANJ , R5016ANX .

History: IXFB82N60P | CS10N60A8HD | RS1G120MN | AP9435GP-HF | FDP8N50NZU | NTMFS4939NT1G | TPB70R950C

 

 
Back to Top

 


 
.