R5009FNX MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R5009FNX

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm

Encapsulados: TO220FM

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R5009FNX datasheet

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R5009FNX

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R5009FNX Structure Dimensions (Unit mm) TO-220FM Silicon N-channel MOSFET 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1)Fast reverse recovery time (trr) 1.2 1.3 2) Low on-resistance. 0.8 3) Fast switching speed. 2.54 2.54 0.75 2.6 4) Gate-source voltage (1) (2) (3) VGSS garanteed to be 30V . 5) Drive circuits can be simple. 6) Parallel use

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R5009FNX

R5009FNJ Datasheet Nch 500V 9A Power MOSFET lOutline l LPT(S) VDSS 500V RDS(on)(Max.) 0.84 ID 9A PD 50W lInner circuit l lFeatures l 1) Fast reverse recovery time (trr). 2) Low on-resistance. 3) Fast switching speed. 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be

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R5009FNX

10V Drive Nch MOSFET R5009ANJ Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1) Low on-resistance. 1.24 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 2.54 0.4 0.78 2.7 5.08 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (1) Base (Gate) (1) (2) (3) 5) Drive circuits can be simple. (2) Collector (Drain)

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R5009FNX

10V Drive Nch MOSFET R5009ANX Structure Dimensions (Unit mm) TO-220FM Silicon N-channel MOSFET 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 1.2 1.3 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 0.8 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (1)Base 2.54 2.54 0.75 2.6 5) Drive circuits can be simple. (2)Collector (1) (2) (3) 6) Para

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