Справочник MOSFET. R5009FNX

 

R5009FNX MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: R5009FNX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO220FM

 Аналог (замена) для R5009FNX

 

 

R5009FNX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1026K  rohm
 r5009fnx.pdf

R5009FNX R5009FNX

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R5009FNX Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1)Fast reverse recovery time (trr) 1.21.32) Low on-resistance.0.83) Fast switching speed.2.54 2.54 0.75 2.64) Gate-source voltage(1) (2) (3) VGSS garanteed to be 30V .5) Drive circuits can be simple.6) Parallel use

 7.1. Size:3366K  rohm
 r5009fnj.pdf

R5009FNX R5009FNX

R5009FNJDatasheetNch 500V 9A Power MOSFETlOutlinel LPT(S)VDSS 500VRDS(on)(Max.) 0.84 ID 9A PD 50W lInner circuitllFeaturesl1) Fast reverse recovery time (trr).2) Low on-resistance.3) Fast switching speed.4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed tobe

 9.1. Size:267K  rohm
 r5009anj.pdf

R5009FNX R5009FNX

10V Drive Nch MOSFET R5009ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS10.1 4.51.3 Features 1) Low on-resistance. 1.242) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 2.54 0.40.782.75.084) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (1) Base (Gate) (1) (2) (3)5) Drive circuits can be simple. (2) Collector (Drain)

 9.2. Size:268K  rohm
 r5009anx.pdf

R5009FNX R5009FNX

10V Drive Nch MOSFET R5009ANX Structure Dimensions (Unit : mm) TO-220FMSilicon N-channel MOSFET 10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.21.32) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 0.84) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (1)Base2.54 2.54 0.75 2.65) Drive circuits can be simple. (2)Collector (1) (2) (3)6) Para

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top