R5011ANJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R5011ANJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: LPTS LPTL

 Búsqueda de reemplazo de R5011ANJ MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

R5011ANJ datasheet

 ..1. Size:263K  rohm
 r5011anj.pdf pdf_icon

R5011ANJ

10V Drive Nch MOSFET R5011ANJ Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 2.54 0.4 0.78 2.7 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 5.08 (1) Gate (1) (2) (3) 4) Drive circuits can be simple. (2) Drain (3) Source Each lead has same dimensions 5) Parallel use is

 7.1. Size:232K  rohm
 r5011anx.pdf pdf_icon

R5011ANJ

R5011ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5011ANX Dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TO-220FM 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 1.2 2) Fast switching speed. 1.3 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 0.8 (1)Base 4) Drive circuits can be simple. 2.54 2.54 0.75 2.6 (2)Collector (1) (2) (3) 5) Parallel use i

 9.1. Size:3269K  rohm
 r5011fnj.pdf pdf_icon

R5011ANJ

R5011FNJ Datasheet Nch 500V 11A Power MOSFET lOutline l LPT(S) VDSS 500V RDS(on)(Max.) 0.52 ID 11A PD 50W lInner circuit l lFeatures l 1) Fast reverse recovery time (trr). 2) Low on-resistance. 3) Fast switching speed. 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to

 9.2. Size:283K  rohm
 r5011fnx.pdf pdf_icon

R5011ANJ

10V Drive Nch MOSFET R5011FNX Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TO-220FM 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Fast reverse recovery time. 2) Low on-resistance. 1.2 1.3 3) Fast switching speed. 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 0.8 5) Drive circuits can be simple. (1) Gate 2.54 2.54 0.75 2.6 (2) Drain (1) (2) (3) 6) Parallel u

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SK3541, R4008AND, R5005CNJ, R5007ANJ, R5007ANX, R5009ANJ, R5009ANX, R5009FNX, IRFB4110, R5011ANX, R5011FNX, R5013ANJ, R5013ANX, R5016ANJ, R5016ANX, R5016FNX, R5019ANJ