R5011FNX MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R5011FNX

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO220FM

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R5011FNX datasheet

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R5011FNX

10V Drive Nch MOSFET R5011FNX Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TO-220FM 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Fast reverse recovery time. 2) Low on-resistance. 1.2 1.3 3) Fast switching speed. 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 0.8 5) Drive circuits can be simple. (1) Gate 2.54 2.54 0.75 2.6 (2) Drain (1) (2) (3) 6) Parallel u

 7.1. Size:3269K  rohm
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R5011FNX

R5011FNJ Datasheet Nch 500V 11A Power MOSFET lOutline l LPT(S) VDSS 500V RDS(on)(Max.) 0.52 ID 11A PD 50W lInner circuit l lFeatures l 1) Fast reverse recovery time (trr). 2) Low on-resistance. 3) Fast switching speed. 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to

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R5011FNX

10V Drive Nch MOSFET R5011ANJ Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 2.54 0.4 0.78 2.7 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 5.08 (1) Gate (1) (2) (3) 4) Drive circuits can be simple. (2) Drain (3) Source Each lead has same dimensions 5) Parallel use is

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R5011FNX

R5011ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5011ANX Dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TO-220FM 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 1.2 2) Fast switching speed. 1.3 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 0.8 (1)Base 4) Drive circuits can be simple. 2.54 2.54 0.75 2.6 (2)Collector (1) (2) (3) 5) Parallel use i

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