R5013ANJ Todos los transistores

 

R5013ANJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: R5013ANJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: LPTS LPTL
 

 Búsqueda de reemplazo de R5013ANJ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

R5013ANJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  rohm
 r5013anj.pdf pdf_icon

R5013ANJ

10V Drive Nch MOSFET R5013ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) LPTSSilicon N-channel MOSFET 10.14.51.3 Features 1.241) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 2.54 0.40.785.08 2.73) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (1) Gate (1) (2) (3)(2) Drain4) Drive circuits can be simple. (3) SourceEach lead has same dimensions5) Parallel use i

 7.1. Size:237K  rohm
 r5013anx.pdf pdf_icon

R5013ANJ

R5013ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5013ANX Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.21.32) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 0.8(1)Base4) Gate-source voltage (VGSS) 2.54 2.54 0.75 2.6(2)Collector (1) (2) (3)guaranteed to be 30V. (3)Emitter5) Drive

Otros transistores... R5007ANJ , R5007ANX , R5009ANJ , R5009ANX , R5009FNX , R5011ANJ , R5011ANX , R5011FNX , IRF3710 , R5013ANX , R5016ANJ , R5016ANX , R5016FNX , R5019ANJ , R5019ANX , R5021ANX , R5205CND .

History: 2SK526 | AOD2904 | SL20N10

 

 
Back to Top

 


 
.