R5013ANJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: R5013ANJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 35 nC
Tiempo de subida (tr): 32 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 500 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.29 Ohm
Paquete / Cubierta: LPTS LPTL
Búsqueda de reemplazo de MOSFET R5013ANJ
R5013ANJ Datasheet (PDF)
r5013anj.pdf
10V Drive Nch MOSFET R5013ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) LPTSSilicon N-channel MOSFET 10.14.51.3 Features 1.241) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 2.54 0.40.785.08 2.73) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (1) Gate (1) (2) (3)(2) Drain4) Drive circuits can be simple. (3) SourceEach lead has same dimensions5) Parallel use i
r5013anx.pdf
R5013ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5013ANX Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.21.32) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 0.8(1)Base4) Gate-source voltage (VGSS) 2.54 2.54 0.75 2.6(2)Collector (1) (2) (3)guaranteed to be 30V. (3)Emitter5) Drive
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