R5013ANJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: R5013ANJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: LPTS LPTL

Búsqueda de reemplazo de MOSFET R5013ANJ

R5013ANJ Datasheet (PDF)

..1. Size:262K rohm
r5013anj.pdf

10V Drive Nch MOSFET R5013ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) LPTSSilicon N-channel MOSFET 10.14.51.3 Features 1.241) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 2.54 0.40.785.08 2.73) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (1) Gate (1) (2) (3)(2) Drain4) Drive circuits can be simple. (3) SourceEach lead has same dimensions5) Parallel use i

7.1. Size:237K rohm
r5013anx.pdf

R5013ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5013ANX Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.21.32) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 0.8(1)Base4) Gate-source voltage (VGSS) 2.54 2.54 0.75 2.6(2)Collector (1) (2) (3)guaranteed to be 30V. (3)Emitter5) Drive

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Liste

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