Справочник MOSFET. R5013ANJ

 

R5013ANJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R5013ANJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: LPTS LPTL
 

 Аналог (замена) для R5013ANJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R5013ANJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  rohm
 r5013anj.pdf pdf_icon

R5013ANJ

10V Drive Nch MOSFET R5013ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) LPTSSilicon N-channel MOSFET 10.14.51.3 Features 1.241) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 2.54 0.40.785.08 2.73) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (1) Gate (1) (2) (3)(2) Drain4) Drive circuits can be simple. (3) SourceEach lead has same dimensions5) Parallel use i

 7.1. Size:237K  rohm
 r5013anx.pdf pdf_icon

R5013ANJ

R5013ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5013ANX Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.21.32) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 0.8(1)Base4) Gate-source voltage (VGSS) 2.54 2.54 0.75 2.6(2)Collector (1) (2) (3)guaranteed to be 30V. (3)Emitter5) Drive

Другие MOSFET... R5007ANJ , R5007ANX , R5009ANJ , R5009ANX , R5009FNX , R5011ANJ , R5011ANX , R5011FNX , IRF3710 , R5013ANX , R5016ANJ , R5016ANX , R5016FNX , R5019ANJ , R5019ANX , R5021ANX , R5205CND .

History: CJD4435 | IRFY430CM | STWA88N65M5

 

 
Back to Top

 


 
.