R5013ANJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: R5013ANJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: LPTS LPTL

Аналог (замена) для R5013ANJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R5013ANJ даташит

 ..1. Size:262K  rohm
 r5013anj.pdf pdf_icon

R5013ANJ

10V Drive Nch MOSFET R5013ANJ Structure Dimensions (Unit mm) LPTS Silicon N-channel MOSFET 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 2.54 0.4 0.78 5.08 2.7 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (1) Gate (1) (2) (3) (2) Drain 4) Drive circuits can be simple. (3) Source Each lead has same dimensions 5) Parallel use i

 7.1. Size:237K  rohm
 r5013anx.pdf pdf_icon

R5013ANJ

R5013ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5013ANX Dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TO-220FM 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 1.2 1.3 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 0.8 (1)Base 4) Gate-source voltage (VGSS) 2.54 2.54 0.75 2.6 (2)Collector (1) (2) (3) guaranteed to be 30V. (3)Emitter 5) Drive

Другие IGBT... R5007ANJ, R5007ANX, R5009ANJ, R5009ANX, R5009FNX, R5011ANJ, R5011ANX, R5011FNX, AO3400, R5013ANX, R5016ANJ, R5016ANX, R5016FNX, R5019ANJ, R5019ANX, R5021ANX, R5205CND